NJVMJD31CT4G datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

• Маркировка
  NJVMJD31CT4G
• Производитель
  ON Semiconductor
• Описание
  ON Semiconductor NJVMJD31CT4G Transistor Polarity: NPN Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 40 V Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V DC Collector/Base Gain hfe Min: 10 A Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: Through Hole Package / Case: DPAK Continuous Collector Current: 3 A Maximum Power Dissipation: 15 W Minimum Operating Temperature: - 65 C
• Количество страниц
  11 шт.
• Формат
  PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
• Размер файла
  152,04 KB

NJVMJD31CT4G datasheet скачать

NJVMJD31CT4G datasheet